2019/ 07/ 23

MOS管开关时的米勒效应!

01米勒平台形成的基本原理MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,...

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2019/ 06/ 28

开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则!

MOS设计选型的几个基本原则建议初选之基本步骤:01电压应力在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即:VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS注:一般地, V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作...

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2019/ 06/ 21

菜鸟选择MOSFET的四步骤!

一位工程师曾经对我讲,他从来不看MOSFET数据表的第一页,因为“实用”的信息只在第二页以后才出现。事实上,MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息。但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据。本文概括了一些MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的...

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2019/ 05/ 17

分立元器件失效分析

在电子产品的研发和生产的进程中,随着电子元器件的样品测试,小批量,大批量,数量不断的增加,“0缺陷”产品是不存在的,有缺陷却是一种必然。有缺陷并不可怕,大家最关心的是产品失效以后如何正确找出原因,确定失效机理,避免失效再次发生。今天和大家分享一些分立元器件的失效分析基本步骤和方法,因篇幅有限,主要讲...

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2019/ 03/ 04

ESD保护管你知多少?

静电,是大家非常熟悉的一种普遍自然现象。虽然静电独有的特性功能被应用到我们日常生活中,比如:静电除尘、静电复印、静电喷涂、静电植绒、静电分离等,但是,对于电子产品、设备而言,静电放电是一种危害,导致功能紊乱甚至部分精密器件损坏。为此,静电对电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题...

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2019/ 01/ 08

時科SHIKUES带你多图详解三极管基本知识及电子电路图...

广义上,三极管有多种,常见如下图所示。狭义上,三极管指双极型三极管,是最基础最通用的三极管。本文所述的是狭义三极管,它有很多别称:三极管的发明晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。真空电子管存在笨重、耗能、反应慢等缺点。二战时,军事上急切需要一种稳定可靠、快速灵敏的...

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2019/ 01/ 04

三个最简单的三极管放大电路

一、最简单的电路上面这个电路够简单吧?你可以得到,只要是NPN晶体管都可以使用。BC547三极管极性:字面朝上,左→右 C、B、ELED、220欧姆电阻、晶体管的连接如照片中显示。手指触摸图中的两个点可以点亮LED。由于一只晶体管的放大倍数有限,想让LED发光更明亮,或许你需要用点力两只手分别捏住两个点。你的身体相当于一个...

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2018/ 09/ 08

內地IC設計企業銷售額今年將達236億元

中國半導體行業協會集成電路設計分會2006年年會暨自主創新與產業共贏論壇日前在珠海舉行.信息產業部副部長婁勤儉出席了年會開幕式並講話.中國半導體行業協會理事長俞忠鈺等出席會議.集成電路設計分會理事長王芹生做了工作報告...

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2018/ 09/ 08

電容器向快速充電與大功率電池邁進

充電1分鐘即可驅動小型筆記本電腦運行近1個半小時--在2004年10月於幕張MESSE舉行的IT博覽會“CEATEC JAPAN”上,這種快速充電的演示成了人們關心的話題.一般筆記本電腦的充電電池要充滿電至少需要1個小時.但“電雙層電容器”卻大幅縮短了這一時間...... 

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